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电压: 0 mV - 110 mV
... NZT605 是一款 NPN 达灵顿晶体管，该器件专门设计用于在高达 1.0A 的集电电流范围内需要超高增益的功能，可提供卓越的击穿电压，在-55° C 至 + 150° C 范围内维持工作与存储结温度。 ...
电压: 60 V
... 描述： 中央半导体 BCV47 是一种硅 NPN 达林顿晶体管，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为需要极高增益的应用而设计。 标记代码：FG ...
电流: 0.5 A - 2 A
电压: 30 V - 140 V
... 特性和优势 BVCEO >-60V 达灵顿晶体管 HFE > 10k @ 100mA 用于高增益 IC =-500mA 高连续集流 互补达灵顿 PNP 类型：BCV47 完全无铅且完全符合 RoHS 标准的 卤素和锑。 绿色器件 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 PPAP 能力 ...
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