PECVD镀膜机 Minilock ALD

热蒸发真空

Minilock ALD 系统旨在使研究人员能够通过热和等离子体增强模式种植原子层沉积膜，其尺寸可达 300mm 的基板。 小占地面积和坚固的设计使其成为研究和试点生产线环境的理想选择。 偏置电极是标准的，可用于改变薄膜性能。 通过保持核心组件不变，可以很容易地扩展到生产集群平台。 为各种材料开发了标准工艺。 这有超过 25 年的快速工艺开发经验。 系统特点： PLC 和触摸屏控制 电感耦合等离子源 (ICP) 偏置电极 近耦合前驱体输送 (最大 8) 50° C 至 400° C 卡盘 4 前驱体入口点 400l/s磁浮涡轮增压 真空负载锁 选项： 微波源 (与 ICP 相比，远程 微波等离子体产生的高能离子含量较低，而产生的自由基的流动对基材的损伤则要低得多。） PECVD 工艺 簇工具兼容 600° C 不锈钢电极