硅晶圆

产品简介
光伏硅片薄片化叠加大尺寸导致良率难以控制。公司在切割领域深耕多年，持续推进细线化工艺以提升良率和硅片性能。服务聚焦于改善线痕和TTV，以提升硅片外观和出片率。当前可为182系、210系、矩形片和半片等多种规格提供加工服务；设备亦可用于切割与加工更大更薄的硅片，以适应行业薄片化趋势并满足客户需求。

产品参数
N/P型 | 硅片型号 | 厚度公差/μm | TTV/μm | 线痕/μm | 电阻率 | 少子寿命/μs | 氧含量/ppma | 碳含量/ppma
P | 182.2*182.2 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
P | 182*183.75 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
N | 182.2*183.75 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.2*182.2 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.3*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*105 | 110+15/-10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.3-2.1 | ≥1000 | ≤14 | ≤1
N | 182.3*105 | 130±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.6 | ≥4000 | ≤13 | ≤1
注：硅片的电阻率及外观参数可根据客户要求定制。

特性 / 技术规格

• 产品类型：光伏大尺寸硅片的加工与切割服务（硅片加工）。
• 主要目标：降低线痕与总体厚度偏差（TTV），以改善大尺寸薄硅片的外观与良率。
• 支持的硅片规格与示例尺寸：182.2×182.2 mm、182×183.75 mm、182.2×183.75 mm、182.3×210 mm、210×210 mm、210×105 mm、182.3×105 mm、矩形硅片、半片及其他定制尺寸。
• 厚度范围与公差：示例包括 150±10 μm、130±8 μm、110+15/-10 μm、130±10 μm（视型号/尺寸而定）。
• TTV（总体厚度偏差）：根据型号与尺寸通常为 ≤20 μm 或 ≤25 μm。
• 线痕（saw mark）：大多数规格为 ≤12.5 μm。
• 电阻率范围（示例）：0.3–2.1 Ω·cm、0.4–1.1 Ω·cm、0.4–1.6 Ω·cm、0.6–1.6 Ω·cm（视型号而定）。
• MCLT（少子寿命）示例：≥70 μs、≥1000 μs、≥4000 μs，取决于具体配置。
• 氧含量示例：≤15 ppma、≤11 ppma、≤14 ppma、≤13 ppma（因型号而异）。
• 碳含量：所有列举规格均为 ≤1 ppma。
• 可定制性：可按工艺与良率需求定制电学性能与外观参数。
• 服务能力：支持182、210、矩形及半片的加工与切割；设备可满足更大更薄硅片的加工需求。