绝缘栅极驱动器 ADUM4221-1 series

MOSFETIGBT硅

4 A峰值电流(® 隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作，可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。 ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护，且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。 如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度，内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。