PECVD镀膜机 SPTS Osprey®

用于包装

对于先进封装应用，SPTS Osprey® PECVD 系统提供与 300 毫米键合基底和模具兼容的低温沉积工艺。Osprey PECVD 可在低至 125°C 的沉积温度下形成经过生产验证的优质电介质薄膜。SiN – SiO 叠层可以沉积到同一 PECVD 腔室中，随着时间推移，具有高度可靠的电气性能和稳定性。薄膜和叠层应力可在广泛的范围内调整，与 PECVD 系统竞品相比，经过优化的腔室硬件最大限度地减小了晶片内的应力范围。可根据需求提供单晶片和多晶片脱气选项，用于加热脱气基底并提高沉积薄膜质量。经过优化的 SiO、TEOS SiO、SiCN 和其他先进电介质薄膜可用于混合键合以及芯片间隙填充应用。 用于混合键合的 SiCN 薄膜 用于芯片间隙填充的 SiO 厚膜 通孔暴露钝化 带翘曲补偿的低温背面薄膜 后硅通孔保护层