电流中继器 D1035S
绝缘DIN导轨

电流中继器 - D1035S - GM International S.p.A. - 绝缘 / DIN导轨
电流中继器 - D1035S - GM International S.p.A. - 绝缘 / DIN导轨
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产品规格型号

技术参数
绝缘, 电流, DIN导轨

产品介绍

单通道 DIN 导轨式频率-脉冲中继器 D1035S 可将来自位于危险区域的磁拾取、接触、接近、集电极开路晶体管传感器、TTL CMOS 的低电平频率信号中继为脉冲信号,以驱动安全区域负载。从 0 区(20 区)1 分区输入,安装在 2 区 2 分区。磁性拾取或接近输入传感器。输入频率范围为 0 至 50 KHz。三端口隔离,输入/输出/电源。电磁兼容性符合 EN61000-6-2、EN61000-6-4。可通过 DIP 开关进行现场编程。技术规格:电源:标称 12-24 伏直流(10 至 30 伏直流),反极性保护,电压限制范围内的纹波 ≤ 5 Vpp:电流消耗:40 mA @ 24 V,输出晶体管通电: 1.最大功耗:电源电压为 30 V,输出晶体管通电时,1.2 W。输入类型:磁拾取,接触式,接近式,符合 EN60947-5-6 标准,集电极开路晶体管,适用于频率高达 50 KHz 的信号,TTL CMOS:磁拾取灵敏度:≥ 20 mVpp 至 100 Hz 输入,≥ 50 mVpp 至 1 KHz,≥ 100 mVpp 至 5 KHz,≥ 500 mVpp 至 20 KHz,≥ 1 Vpp 至 50 KHz:ON ≥ 2.1 mA,OFF ≤ 1.2 mA,开关电流 ≈ 1.65 mA ± 0.2 mA 磁滞(用于接近或晶体管输入)输入等效源:8 V 1 KΩ 典型值(8 V 空载,8 mA 短路)输出类型:无电压 SPST 光耦合集电极开路晶体管:漏电流:35 V 时 ≤ 50 µA:隔离测试电压:I.S. In/Out 1.5 KV;I.S. In/Supply 1.5 KV;Out/Supply 500 V。工作温度限制:-20 至 +60 °C,相对湿度最大 90%(非冷凝),最高 35 °C。存储温度限制:-45 至 +80 °C:安全参数:Uo/Voc = 10.9 V,Io/Isc = 1.1 mA,Po/Po = 3 mW(13-16 端子)。Uo/Voc = 15.5 V,Io/Isc = 13 mA,Po/Po = 48 mW(14-15 端子)。Uo/Voc = 10.9 V,Io/Isc = 23 mA,Po/Po = 60 mW,位于 15-16 端子。Ui/Vmax = 30 V,Ci = 0 nF,Li = 0 nH,位于端子 13-16。Um = 250 Vrms,-20 °C ≤ Ta ≤ 60 °C:安装:EN/IEC60715 TH 35 DIN 导轨。重量:约 145 g。连接:极化插入式断开螺钉接线端子,可连接最大 2.5 mm² 的端子:安全区域/非危险场所或 2 区 IIC T4 组、I 类 2 分区 A、B、C、D 组温度规范 T4 和 I 类 2 区 IIC、IIB、IIA T4 安装:防护等级:IP 20:宽度:22.5 毫米,深度:99 毫米,高度:114.5 毫米:1状态激活

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。