电流泄漏测试仪 M2 Wafer Edition

电压高电压电流脉冲

简要说明
用于SiC和Si器件的晶圆高压测试解决方案。M2 Wafer Edition 集成10 kV直流发生器，可在分割前对晶圆上的高压功率芯片进行早期筛选，减少对不良芯片的封装并加速良率分析。

概述
宽禁带SiC技术催生了面向运输、输电和可再生能源的新一代高压功率器件。M2 Wafer Edition 可在晶圆上执行高达10 kV的参数与应力测试，以在封装前验证击穿、泄漏和耐受性。M2平台为24/7连续生产设计：坚固、精确且模块化，以支持大批量制造并将操作与维护干预降到最低。可扩展的架构使得随着产品需求演进可增加测试能力。

选择理由

• 测试最高电压的功率产品。10 kV直流发生器支持在器件工作极限下测试最新的宽禁带架构。
• 早期筛除缺陷。晶圆级DC、UIS和Rg测试覆盖（Pro版本）在分割与封装前识别不良芯片。
• 安全与保护。晶圆探针和测试发生器通过SocketSafe™技术保护，防止UIS引发的击穿。

产品介绍 — 规格（型号对比）
特性 / 配置：Wafer UHV | Wafer UHV Pro

测试位数
Wafer UHV：1 x DC位
Wafer UHV Pro：1 x 组合 DC + Rg + UIS 位

DC参数测试
两个版本：10 kV，200 A（集成）

栅氧和质量
Wafer UHV：—
Wafer UHV Pro：栅电阻与电容测量

UIS雪崩 / 体二极管质量
Wafer UHV：—
Wafer UHV Pro：5 kV，200 A 非箝位感性负载（UIS）

备注
平台为模块化且可扩展；UHV Pro 版本在单一测试位集成了 DC、RG、UIS 组合测试，以在制造流程早期表征栅和体二极管的鲁棒性。