高电压测试仪 FTI-1000 Wafer HV

交流电式直流用于电子设备

产品概述 FTI‑1000 Wafer HV 是一款面向晶圆级高覆盖测试的 ATE 系统，适用于功率分立器件和宽禁带（wide‑bandgap）技术。Wafer HV 版本配备高压 DC/AC 源，适用于单点探针（single‑site probe）应用，可满足最多 6 kV DC 和 5.5 kV AC 的要求。

推荐理由

• 配置灵活 — 模块化 Tester‑per‑Channel Board 架构，支持独立资源和可扩展扩展
• 电气覆盖全面 — 支持 MOSFET 与功率器件特性化所需的 DC 与 AC 参数测试
• 软件控制可用性高 — FTI Studio 提供 probe‑card bring‑up、测试程序开发与调试工具，适配工程与生产团队

详细概述 FTI‑1000 同时满足工程表征与高产能晶圆筛选需求，配备独立的 DC 与 AC 测试资源，可测量关键 MOSFET 参数（DC 特性、ΔVsd、感性开关测试 UIL/UIS/CIS、门极电荷与门极电阻等）。基于 USB 的模块化架构便于系统扩展与资源灵活划分，适用于单点与多点探针流程。系统可与自动晶圆探针台及 probe‑card 接口集成，无需依赖特定机械平台，支持工艺开发、器件早期表征与量产晶圆筛选。

功能 / 配置

• 变体：Wafer HV（高压）与 Wafer MV（中压）
• 测试点数 — Wafer HV: 1；Wafer MV: 最多 16
• DC 参数测试 — Rdson、Idon、Vce(sat)、Vgs、Gfs、Igss、Idss 等
• 门极测量 — Rg、Cg、Qg；可选/可插拔 Rg（0、10、25、50 Ω 及用户可插拔电阻）
• 交流源 — Wafer HV: 5.5 kV AC；Wafer MV: 1.2 kV AC
• 交流开关电流 — Wafer HV: 最高 200 A；Wafer MV: 最高 100 A
• 雪崩能量能力 — >10 J（两种变体）
• 负载电感选项 — 可插拔离散电感或可选择的电感箱

技术规格

• 型号系列：FTI‑1000 Wafer
• 主要用途：晶圆级测试，针对功率分立器件与宽禁带器件
• 架构：模块化 Tester‑per‑Channel Board，USB‑based 框架；可扩展以支持单点和多点探针应用
• 软件：FTI Studio — probe‑card bring‑up、测试程序开发、波形采集、自动数据表生成、schmoo 绘图、基于 AEC‑Q001 Rev. C 的 PAT 分析
• 直流源电压 — Wafer HV: 6 kV；Wafer MV: 1.2 kV
• 电流驱动范围 — Wafer HV: 从 10 mA 起；Wafer MV: 从 25 mA 起
• 峰值开关电流 — Wafer HV: 最高 200 A；Wafer MV: 最高 100 A
• 数字 IO：可选 8 路独立数字通道（IC Channel Board）
• 可插拔选项：高压扩展、高电流脉冲模块、采样器、基于 LCR 的 Rg 测量
• 外形尺寸：系统 541 × 345 × 206 mm；电源 345 × 176 × 103 mm
• 适用领域：汽车、工业及宽禁带功率器件的开发与生产