功率测试仪 M2 Turret Edition

宽带半导体用于航空工程研发

概述
面向宽禁带功率器件的下一代测试平台。为与旋转转塔和传送带处理器对接的高通量生产设计，能够测量静态参数、动态开关性能、热焊接质量、栅氧化层指标，并通过模块化高性能测试发生器执行包括雪崩和短路在内的应力测试。

主要优势

• 最大产能：UPH 可达 15,000+ 器件/小时（转塔索引并行测试）。
• 设备支持广泛：支持 SiC、GaN 与 Si 的功率器件，包括 MOSFET、IGBT、JFET、双极器件和二极管。
• 适合投产：可与旋转和传送带 handler 接口，模块化可扩展架构以满足不断变化的测试需求。

产品介绍 / 能力
M2 Turret Edition 集成超快测试发生器与优化软件，通过将测试计划拆分到多个发生器实现最高速度。系统为 24/7 高产量生产设计，提供可选模块以添加 Quasar/Pulsar AC 动态开关模块、DC 参数模块及 QA/热测试模块。

特性 / 配置（摘要）
Variants: Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
测试位数量: 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
AC 动态开关性能: M2 DS5 Quasar 高达 2kA 短路 | M2 DS5 Quasar 高达 2kA 短路 | M2 DS6 Pulsar 高达 7.5kA 短路 | M2 DS6 Pulsar 高达 7.5kA 短路
DC 参数测试: 3kV 200A（集成） | 3kV 200A（集成） | 3kV 600A（集成）— 可扩展至 1,000A | 3kV 600A（集成）— 可扩展至 1,000A

应用领域
适用于生产各阶段的高通量功率器件电气测试：KGD、封装离散器件与模块；适用于晶圆探针、离散条带测试和最终测试阶段。

技术规格

• 平台：M2 模块化且可扩展的测试平台，优化用于超高速电气测试。
• 产能：UPH 可达 15,000+ 器件/小时（索引并行方法）。
• 支持技术：SiC、GaN、Si。
• 测试类型：静态参数、DC 参数测试、AC 动态开关、热焊接（deltaVSD）、栅电阻与电容、雪崩与短路应力测试、UIS/体二极管测试。
• DC 参数能力：集成至 3 kV；部分变体为标准 200 A；Pulsar 变体为 3 kV 600 A 集成，可扩展至 1,000 A。
• AC 动态开关：Quasar (DS5) 至 2 kA；Pulsar (DS6) 至 7.5 kA 短路能力。
• 热焊接测试：M1 FB deltaVSD 1 kW，最高 300 V / 100 A（Pro / Pulsar Pro 可用）。
• UIS 雪崩：2.3 kV，200 A 非箝位感性负载（Pro / Pulsar Pro 变体）。
• 并发测试位：根据变体 4 到 6 个；可配置 RG、Quasar/Pulsar AC 测试、FB、UIS 和 QA 站。
• 集成：为 24/7 运行设计，可靠且精确；可与旋转转塔和传送带 handler 集成。