SRAM内存

高速

SRAM SRAM 映像 （查看大图 SRAM 映像） ARM® 单端口和双端口 SRAM 存储器编译器提供各种不同的架构，支持所有类型 SoC 设计的广泛性能范围。 设计人员可以从高密度、高速和低功耗 SRAM 中进行选择，以优化其速度、功率和/或面积的设计。 ARM SRAM 存储器编译器可用于超过 15 个不同的铸造厂和 65 个从 28nm 到 250nm 的工艺变型。 SRAM 内存是用于临时存储大量信息。 提供 1 端口和 2 端口版本 ARM SRAM 内存 IP 通常可用于 L2/L3 缓存解决方案、临时缓冲区或 SoC 设计中需要更大内存实例的任何位置。 用 于性能关键型设计的 高速存储器适用于主流和成本关键型应用的高密度 存储器，适用于电池供电便携式应用的低功耗存储器。 为所有领先的 EDA 供应商提供广泛的支持，确保快速 上市灵活的业务模式，如免费库程序，并在购买前尝试，允许在多个子范围内优化的最低拥有成本的内存子电路，以提供接近自定义设计的功率、性能和面积。