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Phograin数字集成电路片

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数字集成电路片

数字集成电路片XSJ-10-EMPD-120L

探测 InGaAs InP磷化铟
数字集成电路片
XSJ-10-EMPD-120L

... 该XSJ-10-EMPD-120L是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯 片，为平面结构。阳极和阴极在正面，芯 片侧面探测窗口是120umX60um，适合于数据中心和电信边射型激光器，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度，适用于非气密性封装。 1. PN电极位于顶部 2. 侧边可探测区域：100μmX60μm 3. 高响应度,低暗电流 4. 100%测试和外观检测 ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
数字集成电路片

数字集成电路片XSJ-10-M-100-EI

光电二极管 InGaAs InP磷化铟
数字集成电路片
XSJ-10-M-100-EI

... 该侧面入光的大光敏面InGaAs/InP PIN监测光探测器芯 片，为平面结构，阳极和双阴极在正面，侧面可探测区域达到100μmX80μm，在980nm到1620nm波段范围内有较高的响应度，主要用于各种LD的后向光功率监测、FTTH 数字光通信和光互联。 1. NPN电极位于顶部 2. 侧边可探测区域：100μmX80μm 3. 高响应度 4. 低暗电流 5. 低工作电压 6. -40℃到85℃的工作范围 7. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 ...

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数字集成电路片

数字集成电路片XSJ-10-EMPD-120R

光电二极管 InGaAs InP磷化铟
数字集成电路片
XSJ-10-EMPD-120R

... 该XSJ-10-EMPD-120R是侧面入光的InGaAs/InP PIN监测光探测器芯 片，为平面结构，阳极和阴极在正面，芯 片侧面探测窗口是120μmX60μm，适合于数据中心和电信边射型激光器，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度。适用于非气密性封装。 1. PN电极在顶部和适合非气密性封装 2. 侧边可探测区域：120μmX60μm 3. 高响应度和低暗电流 4. 低工作电压 5. -40℃到85℃的工作范围 6. ...

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数字集成电路片

数字集成电路片XSJ-10-EMPD-120RB

探测 InGaAs InP磷化铟
数字集成电路片
XSJ-10-EMPD-120RB

... 该XSJ-10-EMPD-120RB是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯 片，为平面结构。阳极和阴极在正面，背面金属化，芯 片侧面探测窗口是120umX60um，适合于数据中心和电信边射型激光器，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度，适用于非气密性封装。 产品特点 1. PN电极位于顶部 2. 侧边可探测区域：100μmX60μm 3. 高响应度,低暗电流 ...

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数字集成电路片XSJ-10-EMPD-120

探测 InGaAs InP磷化铟
数字集成电路片
XSJ-10-EMPD-120

... 该XSJ-10-EMPD-120是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯 片，为平面结构。阳极在正面和阴极在背面，芯 片侧面探测窗口是120umX60um，适合于数据中心和电信边射型激光器，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度，适用于非气密性封装。 1. P电极位于顶部，N电极位于底部 2. 侧边可探测区域：100μmX60μm 3. 高响应度,低暗电流 4. 支持共晶工艺 ...

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数字集成电路片

数字集成电路片XSJ-10-D4-60

光电二极管 InGaAs InP磷化铟
数字集成电路片
XSJ-10-D4-60

... 3.1Gbps光探测器芯 片是InGaAs/InP 平面结构和正面入光的 数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ60μm。产品特点是暗电流低、低电容、高响应度和高可靠性，主要用于3.1Gbps 及以下速率的光接收模块和EPON光网络单元。 1. Φ60μm光探测窗口 2. 高响应度 3. 低暗电流 4. 高带宽 5. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 6. ...

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数字集成电路片

数字集成电路片XSJ-10-D3-70-04

光电二极管 InGaAs InP磷化铟
数字集成电路片
XSJ-10-D3-70-04

... 2.5Gbps光探测器芯 片是InGaAs/InP 平面结构和正面入光的 数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ70μm。产品特点是暗电流低、低电容、高响应度和高可靠性，主要用于2.5Gbps 及以下速率的光接收模块和EPON光网络单元。 1. Φ70μm光探测窗口 2. 高响应度 3. 低暗电流 4. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 5. ...

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数字集成电路片XSJ-10-DA4-70-KH3

模拟 光电二极管 InGaAs
数字集成电路片
XSJ-10-DA4-70-KH3

... 该3GHz光探测器芯 片是InGaAs/InP PIN平面结构和正面入光的高响应度数/模PD芯 片，光敏区尺寸是Φ70μm。产品特点是暗电流低、低电容、高响应度、低二阶内调失真（IMD2）和三阶失真（CTB）、并具备高可靠性，主要用于3GHz 及以下带宽的光接收模块、EPON光网络单元和CATV模拟光接收器。 1. Φ70μm探测窗口 2. 高响应度和高线性度 3. 低暗电流 4. 带宽：≥3GHz 5. 低二阶互调失真（IMD2）和三阶失真（CTB） 6. ...

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数字集成电路片XSJ-10-DA4-70-KHRe

模拟 光电二极管 InGaAs
数字集成电路片
XSJ-10-DA4-70-KHRe

... 该2.5Gbps光探测器芯 片是InGaAs/InP PIN平面结构和正面入光的高响应度数/模PD芯 片，光敏区尺寸是Φ70μm。产品特点是暗电流低、低电容、高响应度、低二阶内调失真（IMD2）和三阶失真（CTB）、并具备高可靠性，主要用于2.5Gbps 及以下速率的光接收模块、EPON光网络单元和CATV模拟光接收器。 1. Φ70μm光探测窗口 2. 高响应度和高线性度 3. 低暗电流 4. 低二阶互调失真（IMD2）和三阶失真（CTB） 5. ...

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数字集成电路片

数字集成电路片XSJ-10-DA3-70-01

模拟 光电二极管 InGaAs
数字集成电路片
XSJ-10-DA3-70-01

... 该2.5Gbps光探测器芯 片是InGaAs/InP平面PIN结构和正面入光的数/模PD芯 片，光敏区的尺寸是Φ70μm。产品特点是暗电流低、低电容、高响应度、低二阶互调失真（IMD2）和三阶失真（CTB）、和高可靠性，主要用于2.5Gbps 及以下速率的模拟接收和EPON光网络单元。 1. Φ70μm光探测窗口 2. 低二阶内调失真（IMD2）和三阶失真（CTB） 3. 高线性度和高响应度 4. 低暗电流 5. 本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 ...

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