Phograin集成电路片

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光电二极管集成电路片
光电二极管集成电路片
XSJ-10-D6-32A

... 该25Gbps光探测器芯 ,是正面入光型高速PIN光探测器芯 ,光敏区尺寸是Φ32μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性,主要和25Gbps TIA搭配,应用于长距、高速和单模的25Gbps光接收电信和数据通信。 1. Φ32μm光探测窗口 2. 台面结构,GSG焊盘设计在顶部 3. 低暗电流和低电容 4. 高响应度 5. 典型带宽:16GHz 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
光电二极管集成电路片
光电二极管集成电路片
XSJ-10-D6-32

... 该25Gbps光探测器芯 ,是正面入光型高速PIN光探测器芯 ,光敏区尺寸是Φ32μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性,主要和25Gbps TIA搭配,应用于长距、高速和单模的25Gbps光接收电信和数据通信。 1. Φ32μm光探测窗口 2. 台面结构,GSG焊盘设计在顶部 3. 低暗电流和低电容 4. 高响应度 5. 典型带宽:16GHz 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. ...

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光电二极管集成电路片
光电二极管集成电路片
XSJ-10-D5-50A

... 该25Gbps光探测器芯 ,是正面光照和台面结构的高速PIN光探测器芯 ,光敏区大小是Φ20μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性,主要和25Gbps TIA搭配,应用于长距、高速和单模的25Gbps光接收器。 1. Φ50μm光探测窗口 2. 低电容 3. 高响应度 4. 低暗电流 5. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 6. 速率达到10Gbps 7. ...

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光电二极管集成电路片
光电二极管集成电路片
XSJ-10-D6-20

... 该25Gbps光探测器芯 ,是正面光照和台面结构的高速PIN光探测器芯 ,光敏区大小是Φ20μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性,主要和25Gbps TIA搭配,应用于长距、高速和单模的25Gbps光接收器。 1. Φ20μm光探测窗口 2. 顶部GSG焊盘结构 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 速率≥25Gbps 5. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. ...

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光电二极管集成电路片
光电二极管集成电路片
XSJ-10-APD6-16

... 该25Gbps APD光探测器芯 是GS电极结构,为正面入光的高速雪崩光探测器芯 ,光敏区尺寸是Φ16μm。产品的主要特点是高倍增、低电容、低温度系数和高可靠性,主要用于25G PON、5G无线和100GBASE-ER4。 1. Φ16μm光探测窗口 2. 高倍增 3. 高速率:25Gbps以上 4. 低电容 5. 低温度系数 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. ...

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数字集成电路片
数字集成电路片
XSJ-10-EMPD-120L

... 该XSJ-10-EMPD-120L是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯 ,为平面结构。阳极和阴极在正面,芯 侧面探测窗口是120umX60um,适合于数据中心和电信边射型激光器,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度,适用于非气密性封装。 1. PN电极位于顶部 2. 侧边可探测区域:100μmX60μm 3. 高响应度,低暗电流 4. 100%测试和外观检测 ...

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数字集成电路片
数字集成电路片
XSJ-10-M-100-EI

... 该侧面入光的大光敏面InGaAs/InP PIN监测光探测器芯 ,为平面结构,阳极和双阴极在正面,侧面可探测区域达到100μmX80μm,在980nm到1620nm波段范围内有较高的响应度,主要用于各种LD的后向光功率监测、FTTH数字光通信和光互联。 1. NPN电极位于顶部 2. 侧边可探测区域:100μmX80μm 3. 高响应度 4. 低暗电流 5. 低工作电压 6. -40℃到85℃的工作范围 7. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 ...

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光电二极管集成电路片
光电二极管集成电路片
XSJ-10-D7-16X

... 该56GBaud光探测器芯 ,是正面入光型和台面高速PIN光探测器芯 ,光敏区大小为Φ16μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性;主要和低噪声放大器搭配,应用于4X56GBuad PAM 4数据中心和100G以太网。 1. Φ16μm光探测窗口 2. GSG焊盘结构 3. 低暗电流 4. 低电容 5. 高响应度 6. 带宽≥35GHz(搭配TIA) 7. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 8. ...

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数字集成电路片
数字集成电路片
XSJ-10-EMPD-120R

... 该XSJ-10-EMPD-120R是侧面入光的InGaAs/InP PIN监测光探测器芯 ,为平面结构,阳极和阴极在正面,芯 侧面探测窗口是120μmX60μm,适合于数据中心和电信边射型激光器,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度。适用于非气密性封装。 1. PN电极在顶部和适合非气密性封装 2. 侧边可探测区域:120μmX60μm 3. 高响应度和低暗电流 4. 低工作电压 5. -40℃到85℃的工作范围 6. ...

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数字集成电路片
数字集成电路片
XSJ-10-EMPD-120RB

... 该XSJ-10-EMPD-120RB是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯 ,为平面结构。阳极和阴极在正面,背面金属化,芯 侧面探测窗口是120umX60um,适合于数据中心和电信边射型激光器,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度,适用于非气密性封装。 产品特点 1. PN电极位于顶部 2. 侧边可探测区域:100μmX60μm 3. 高响应度,低暗电流 ...

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